Samsung Electronics вирішила прискорити підготовку потужностей до запуску масового виробництва чипів за 2-нм техпроцесом, повідомляють галузеві джерела. Компанія почала встановлення обладнання на лінії напівпровідникового заводу S3 в південнокорейському Хвасоні. До першого кварталу наступного року ця лінія, як розраховує компанія, зможе обробляти 7000 пластин згідно з 2-нм техпроцесом на місяць.
До другого кварталу майбутнього року Samsung також розраховує побудувати виробничу лінію для 1,4-нм техпроцесу на підприємстві S5 на другому заводі в Пхьонгтеку (Pyeongtaek Plant 2) – вона зможе обробляти 2000-3000 пластин щомісяця. До кінця наступного року компанія переведе всі 3-нм виробничі лінії, що залишилися, на фабриці S3 на технологію 2 нм.
Раніше стало відомо, що Samsung перенесла дату запуску виробництва на напівпровідниковому заводі в американському Техасі – спочатку він мав відкритися вже наприкінці 2024 року, але компанія вирішила відкласти старт на 2026 рік. Samsung також перепрофілювала напівпровідникову лінію на Pyeongtaek Fab 4 – через зниження попиту тепер на ній вироблятимуть пам’ять DRAM; було скорочено виробництво на Pyeongtaek Fab 3, де є лінія 4 нм.
Усі ці зміни пов’язані з планом компанії налагодити виробництво чипів за технологією 2 нм наступного року і розпочати масовий випуск 1,4-нм чипів до 2027 року. Корейський виробник має намір наздогнати свого конкурента TSMC: зараз у Samsung 11,5 % світового ринку контрактного виробництва напівпровідників, а у лідера в особі TSMC – 62,3 %. Реалізація цього плану – велика ставка для Samsung, кажуть експерти: з огляду на затримку у виробництві 3-нм чипів і низку інших складнощів у напівпровідниковому сегменті, розгортання технології 2 нм може або врятувати, або знищити підрозділ Samsung Foundry.